Qualcomm nu pare că a adus mari schimbări în ce privește arhitectura Snapdragon 8 Elite Gen 2, însă zvonuri încă neconfirmate cu rezultate benchmark descriu un salt de performanță aproape incredibil pentru chipsetul adresat următoarei generații de telefoane-flagship.
Comparat cu predecesorul SD 8 Gen 3, actualul chipset Snapdragon 8 Elite oferă cu până la 37% mai mulă performanță la partea de CPU, cu 30% mai multă performanță GPU (+40% performanță în raytracing) și 40% mai multă viteză pentru accelerarea algoritmilor de procesare AI. Cel mai important, SD 8 Elite surclasează rivalul Apple A18 Pro atât în privința performanțelor GPU dar și CPU multi-core, pierzând cu doar câteva procente în testele single-core, unde Apple încă păstrează avantajul unor nuclee de procesare mai puternice. Însă prețul plătit este prin consumul de energie mărit și predispoziția la supraîncălzire, telefoanele cu SD 8 Elite având nevoie de acumulatori cu capacități semnificativ mai mari și răcire mai eficientă decât la dispozitivele iPhone.
Însă Snapdragon 8 Elite Gen 2 ar putea schimba toate acestea oferind utilizatorilor de Android nu doar performanțe de top, ci și caracteristici mult mai bune de temperatură și consum. Dar până să vedem exact cum stau lucrurile la partea de eficiență, Snapdragon 8 Elite Gen 2 este descris cu rezultate stelare în benchmark AnTuTu. Fără a oferi și dovada unei capturi de ecran, celebrul insider Digital Chat Station susține în rețeaua X că noul SoC idendificat cu numele de model SM8850 obține un scor AnTuTu de nu mai puțin de 3.8 milioane de puncte. Spre comparație, cele mai rapid telefon cu Snapdragon 8 Elite din catalogul AnTuTu, modelul iQOO 13 obține puțin sub 2.7 milioane de puncte. Altfel spus, ar fi vorba despre un salt de performanță de 40.7%. Totuși, fără a cunoaște și scorurile individuale la sub-categoriile CPU – GPU este imposibil de spus cum este repartizată creșterea de performanță anunțată.
Potrivit aceleași surse de zvonuri, Qualcomm ar fi obținut aceste creșteri de performanță folosind cel mai avansat nod de fabricație TSMC N3P, respectiv cu ajutorul unor nuclee ”Pegasus” capabile să susțină frecvențe de până la 5GHz în modul boost. Pe lista „ingredientelor” intră și SME (Scalable Matrix Extension), o tehnologie ARM despre care se spune că poate facilita un salt de pana la 20% al performanțelor single-core și multi-core.
